基本半導(dǎo)體B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC，移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)    LLC諧振型開(kāi)關(guān)電源以其兼具能夠在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊開(kāi)關(guān)管的ZVS開(kāi)通,整流二極管的ZCS關(guān)斷的特點(diǎn)和便于磁集成、輸入電壓范圍寬等優(yōu)勢(shì),在高頻開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域獲得了廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。 移相全橋(Phase-Shifting Full-Bridge Converter，簡(jiǎn)稱PS FB)，利用功率器件的結(jié)電容與變壓器的漏感作為諧振元件，使全橋電源的4個(gè)開(kāi)關(guān)管依次在零電壓下導(dǎo)通(Zero voltage Switching，簡(jiǎn)稱ZVS)，來(lái)實(shí)現(xiàn)恒頻軟開(kāi)關(guān)，提升電源的整體效率與EMI性能，當(dāng)然還可以提高電源的功率密度。   LLC，移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達(dá)到的更低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗。B2M跟競(jìng)品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更?。?15pF），需要的死區(qū)時(shí)間初始電流?。籅2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力更強(qiáng)。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競(jìng)品優(yōu)勢(shì)明顯，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看，相對(duì)競(jìng)品，在LLC，移相全橋型電源應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.   BASiC基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域更受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。     BASiC基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn) 更低比導(dǎo)通電阻：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。   更低器件開(kāi)關(guān)損耗：BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。   更高可靠性：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。   更高工作結(jié)溫：BASiC第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。